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深圳市东信高科自动化设备有限企业
等离子清洗机
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澳门十大正规网站 行业应用 MEMS加工过程中去除SU-8光刻胶

MEMS加工过程中去除SU-8光刻胶

MEMS制程中,刻蚀就是用化学的、物理的或同时使用化学和物理的方法,在光刻的基础上有选择地进行图形的转移。 刻蚀技术主要分为干法刻蚀与湿法刻蚀。


干法刻蚀主要利用反应气体与等离子体进行刻蚀;以FATRI UTC为例,在MEMS制造中的刻蚀机主要用来刻蚀SiSi3N4SiO2

湿法刻蚀主要利用化学试剂与被刻蚀材料发生化学反应进行刻蚀;以FATRI UTCMEMS制程为例,在湿法槽进行湿法刻蚀的对象有SiO2Si3N4、金属、光刻胶等,晶圆作业中的清洗步骤也需在湿法槽中进行。


MEMS制作工艺过程中,SU-8已被广泛用于通过MEMS制造多年。使用更快的干燥技术,极性更大的溶剂的系统改进了涂层质量,并增加了处理量. SU- 8 200012个标准粘度. 膜厚度的0.5> 200微米可以通过一个单一的涂层过程实现。曝光和随后的膜热交联的部分不溶于液体显影剂。 SU- 8光刻胶有优秀的成像特性,并能产生非常高的纵横比结构。 SU- 8光刻胶具有非常高的光传输性高于360纳米,这使得它非常适合在很厚的薄膜附近的垂直侧壁成像。SU-8光刻胶很适合永久性应用中成像,固化并留在设备上.


SU-8胶的许多非凡的性能很适合使用在制造MEMS和微射流器件上。SU-8是阴性成像环氧树脂型,近紫外光刻胶,可均匀延展的厚度可达2毫米,由于其优良的透明度可以用标准的光照曝光机来处理它。这种适合于MEMS制造的光刻胶的众多优点中有一项是它的化学稳定性,只是这样SU-8太稳定了以至于很难去除。东信高科已成功开发出微波等离子清洗机用于灰化去除SU-8的工艺。并且已经广泛的应用于很多的半导体加工企业

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